VTF-PECVD-1200縦型単温PECVDシステムは、VTL-VTF 1200真空縦型管式炉、石英真空室、無線周波電源、GX給気システム、抽気システム、真空測定システムからなる。

主な特徴：

1、高周波電源を通じて石英真空室内のガスをイオン状態に変える。

2、PECVDは通常のCVDより化学蒸着に必要な温度が低い。

3、RF電源の周波数によって堆積した薄膜の応力の大きさを制御することができる。

4、PECVDは普通のCVDより化学蒸着速度が高く、均一性が良く、一致性と安定性が高い。

5、広範に応用：SiOx、SiNx、SiOxNyと非晶質シリコン（a-Si：H）などの各種薄膜の成長。

VTF 1200-PECVDシステムはスウェーデンKanthal抵抗線を加熱素子とし、2層筐体構造と30段プログラムを用いて温度制御を行う儀表、移相トリガ、制御可能なシリコン制御、炉内にアルミナ多結晶繊維材料を採用し、炉管の両端にステンレスフランジを密にすることができる封、ステンレスフランジにはエアノズル、バルブ、圧力計が取り付けられており、真空引き時の真空度は10-3 Paに達することができ、温度場がある均衡、表面温度が低く、昇降温度速度が速い、省エネ、価格優遇などの利点がある。

（3）、抵抗等化、温度場等化性が良い

（4）、加熱素子：スウェーデンKanthal A 1輸入抵抗線（抵抗線は2年間保証を承諾できる）

回路が過電流または漏電した場合、空の会議は自動的に切断される

この炉には通信インタフェースとソフトウェアが装備されており、コンピュータを通じて炉の各パラメータを直接制御することができ、コンピュータから炉上のPVとSV温度値と計器の運行状況を観察することができ、炉の実際の昇温曲線コンピュータはリアルタイムに描出され、時刻ごとの温度データを保存することができ、いつでも真空度を調整することができる。

（2）、日本技術を用いて成形する。

（3）、炉内の抵抗線の間隔とピッチはすべて日本の最適な熱工学技術によって配置され、熱工学ソフトを経て温度場を模擬する

（4）、4週間加熱を採用し、温度場をより均衡させる

（すべてUL認証を取得した輸入機器）