100%環境安定な金属NbSe 2結晶：バルク形態では、二セレン化ニオブは金属である。二硫化モリブデンと似ており、層状構造（シート状）を有し、層間結合が弱い。NbSe 2は金属と超伝導挙動を示した。低温で超伝導転移が発生し、CDW挙動を示した。他のソースとは異なり、我々のNbSe 2結晶は欠陥のない不純物流束領域技術によって成長した（以下の化学蒸気輸送［CVT］間の比較を参照）。清浄性と欠陥のない性質により、研究者は清浄な超伝導性、相転移を観察し、結晶に量子輸送測定を行うことができる。

もしあなたの研究で走査トンネル顕微鏡（STM）測定のために原子面のNbSe 2試料が必要な場合は、お問い合わせください。

米国の2次元半導体NbSe 2結晶の性質

成長方法は重要です>フラックス領域ですか、CVT成長方法ですか。周知のように、層状結晶中のハロゲン化物と点欠陥の汚染はその電子移動度の低下、異方性応答の低下、e-h複合差、PL発光の低さと光吸収の低さの原因である。フラックス領域技術は、真の半導体レベルvdW結晶を合成するためのハロゲン化物フリー技術である。この方法と化学蒸気輸送（CVT）技術の違いは：CVTは高速（約2週間）の成長方法であるが、結晶品質が悪く、欠陥濃度は1 E 11〜1 E 12 cm−2の範囲に達する。対照的に、溶剤法は長い（約3ヶ月）成長時間を必要とするが、完全な原子構造を実現するためにゆっくりと結晶化することができ、不純物のない結晶成長を確保することができ、欠陥濃度は1 E 9-1 E 10 cm-2と低い。チェックアウト時には、どの成長過程が優先なのかを説明するだけです。特に断らない限り、2 D半導体はFlux zone結晶をデフォルトの選択としている。