三イオンビーム技術

三イオンビーム部品はサンプル側面に垂直であるため、イオンビーム衝撃を行う際にサンプル（サンプルホルダーに固定）は投影／遮蔽効果を低減するために揺動運動をする必要がなく、これにより有効な熱伝導を保証し、サンプルの処理中の熱変形を低減する。
ぎじゅつ
三イオンビームはバッフルエッジの中点に集束し、バッフル上部に露出した試料（試料上端はバッフルより約20〜100μm高い）に接線する100°衝撃扇面を形成し、衝撃が試料内部の目標領域に達するまで。新しい設計のイオン銃によるイオンビーム研磨速度は300μm/h（Si 10 kV、3.0 mA、50μm切断高さ）に達する。徂徠カード独特の三イオンビームシステムは、優れた高品質切断断面を得ることができ、しかも速度が高く、切断面が広くて深く、これは作業時間を大幅に節約することができる。この独自技術により高品質の切断断面を得ることができ、領域サイズは>4×1 mmに達することができる

Leica EM TIC 3 X-設計と操作の革新的な特徴

高スループット、コスト収益の向上
›高品質切断断面を得ることができ、領域寸法は>4×1 mmに達することができる
››多様品台の設計は一度に運行して3つのサンプルを収容することができる
››イオン研磨速度が高く、Si材料は300μm/h、50μm切断高さであり、実験室の高スループット要求を満たすことができる
›収容可能な最大サンプルサイズは50×50×10 mm
›使用可能なサンプルステージは多種多様で簡単で使いやすく、高精度
››供試体の載置台への取り付けとバッフルとの相対位置の調整のためのキャリブレーションを簡単かつ正確に行うことができる
›タッチスクリーンによる簡単な操作で、特別な操作技術は必要ありません
››サンプル処理過程はリアルタイムに監視でき、ボディミラーまたはHD-TVカメラで観察できる
››LED照明、観察サンプルと位置較正に便利
›内蔵式、脱結合設計の真空ポンプシステム、振動のない観察視野を提供する
››は調製された平坦な切断断面上でさらにライニング増強作用、すなわちイオンビームエッチング処理を行うことができる。
›USB経由でパラメータやプログラムのアップロードやダウンロードが可能
››どのマテリアルサンプルにもほぼ適用可能
››冷凍サンプルテーブルを使用して、バッフルとサンプルの温度を–150°Cに下げることができる

多種多様なサンプルステージ

様々なサイズのサンプルにほぼ適しており、幅広い用途に適しています。サンプルホルダーを1つ使用すれば、前機械予備（徂徠カードEM TXP）からイオンビーム切断（徂徠カードEM TIC 3 X）、およびSEMミラー検査を完了し、その後サンプルストレージボックスに入れて後続の検査に備えることができる。

ライニング補強

イオンビーム切断後、試料を取り外す必要はなく、同じ試料載置台を用いて試料に対してライニング増強作用を行うこともでき、試料内の異なる相以前のトポロジー構造（例えば粒界）を強化することができる

高精度

現在、サンプル中のますます小さくなっている詳細な構造が注目されています。一方、切断により断面を得ることは、非常に小さなTSVia孔構造を得ることが容易になった。すべてのサンプルテーブルは、±2μmのサンプル位置較正精度を達成するように設計されている。サンプルテーブルの制御精度だけでなく、このような正確な目標位置決め較正作業を実現することができるだけでなく、観察システムは正確な目標位置決めを行うために最小約3μmサイズのサンプル詳細を観察することもできる。位置決め時にサンプルをよりよく観察するのを助けるために、4分割LEDリング光源またはLED同軸照明は非常に助けを提供し、使用者がボディミラーまたはHD-TVカメラからはっきりした画像を得るのを助ける。
真空ポンプを機器内部に内蔵しているので、もう1つの空間を個別に空ける必要はありません。真空ポンプの脱結合設計のおかげで、サンプルの製造過程で、観察視野は真空ポンプによる振動に干渉されない。